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No es ninguna novedad que cada año el espacio de nuestro smartphone se vea reducido cada vez más por las diferentes aplicaciones que salen al mercado, por el mayor tamaño de las fotos y vídeos que tomamos y/o por el contenido que solemos descargar, por lo que cada fabricante siempre ha venido apostando por incorporar memorias internas de mayor capacidad y desde este 2017 cada gama alta tiene 64 GB de almacenamiento base, muchos con la posibilidad de ampliarse vía microSD.

Al día de hoy los smartphones con mayor cantidad de almacenamiento son los nuevos iPhone de Apple, el Mi Mix 2 de Xiaomi y el Galaxy Note 8 de Samsung, estos modelos llegan hasta los 256 GB de memoria interna. Para muchos puede parecer una cantidad de memoria enorme, pero siempre habrán otros que quieren algo más y ahora podrán tenerlo.

Samsung Electronics ha anunciado el día de hoy el desarrollado de la primera solución de almacenamiento flash universal de 512 GB, los cuales estarán disponible en los smartphones de próxima generación, así como en otros dispositivos móviles.

La nueva V-NAND de Samsung posee un rendimiento excepcional y cuenta con 64 capas y 512 GB de almacenamiento, siendo del mismo tamaño que su antecesora de 256 GB. Todo un logro de ingeniería.
 

Samsung no solo es excelente haciendo pantallas, en memorias también es el más destacado

 

Uno de los mayores problemas en las memorias de altas capacidades es el consumo energético, por suerte Samsung ha presentado una serie de tecnologías patentadas para la eficiencia energética y el rendimiento de la memoria, de esta forma ambas no estarán afectados en ningún momento.

En cuanto a velocidad y lectura, la Samsung 512 GB eUFS puede leer hasta 860 megabytes por segundo (MB/s) y escribir a 255MB/s. Esta velocidad le permite mover un vídeo en FHD con un peso de 5 GB a cualquier unidad SSD en apenas 5 segundos, siendo 8 veces más veloz que una tarjeta microSD actual.

Esta nueva capacidad permite grabar hasta 130 vídeos con resolución 4K (UHD) de una duración de 10 minutos.

 

“El nuevo Samsung eUFS 512GB proporciona la mejor solución de almacenamiento integrado para smartphones premium de última generación, superando las limitaciones potenciales en el rendimiento del sistema que pueden ocurrir con el uso de tarjetas micro SD”, explica Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics.

 

Se espera que los primeros smartphones en incorporar esta memoria saldrán en el 2018 y todo apunta a que habrá una versión del Galaxy S9 quien podría estrenar esta memoria, aunque lo más probable es que la veamos en el Galaxy Note 9.

Fuente: Samsung

 

 

Han pasado un par de días desde que Huawei confirmaba el uso de memorias más lentas en sus Huawei P10 y P10 Plus, algo que no gustó a más de un usuario. De hecho se hizo un gran escándalo sobre esto a pesar que la firma china pidió disculpas y ahora parece ser que Samsung está pasando por lo mismo.

Los nuevos Galaxy S8 y S8+ son al día de hoy los smartphones con el mejor hardware del mercado, entre los que destacan sus potentes procesadores, su enorme pantalla, su cámara y su diseño. Por supuesto eso no es todo y una de las cosas a la que los coreanos también le pusieron mucho empeño es en su veloz almacenamiento, usando memorias UFS 2.1 de la casa y que también vemos en otros fabricantes, solo que no todos llevarían esta memoria (sí, exactamente el mismo problema de Huawei).

Los chicos de Phandroid han reportado que los Galaxy S8 y S8+ con procesador Snapdragon 835 están llegando con memorias UFS 2.0, mientras que los Exynos 8895 llegan con las memorias UFS 2.1. Esto quiere decir que si importas un equipo de EEUU y este sea Snapdragon (el de serie), es bastante probable que tu memoria sea más lenta, mientras que si compras el equipo en Perú no tendrías ningún problemas.

 

El caso ha sido tan marcado que Samsung se vio obligado a retirar la publicidad de memorias UFS 2.1 de su página web, pero hasta el momento no ha declarado el incidente, algo que sí hizo Huawei.


 

Tal como comentamos en el artículo sobre los distintos tipos de memoria de los Huawei P10 y P10 Plus, el uso de memorias UFS 2.0 y UFS 2.1 es imperceptible, aunque en el caso de los chinos iba un poco más allá por la implementación de memorias eMMC 5.1 y RAM de dos velocidades distintas.

 

¿Hay mucha diferencia?

Galaxy S8
Puedes respirar tranquilo: los Galaxy S8 locales están libres de este «problema»

 

Las memorias UFS 2.1 pueden tener un rendimiento de hasta 750-800 MB/s, mientras que las UFS 2.0 tienen un rendimiento máximo de 500 MB/s. Eso sí, las primeras tienen un mejor consumo energético y, en teoría, son más seguras.

La velocidad de escritura es bastante similar entre ambas, por lo que la diferencia no es notoria. Mientras tu memoria sea más veloz podrás grabar vídeos en alta resolución sin problemas. Por ejemplo, grabar un vídeo en 4K a 30 fps requiere una escritura de aproximadamente 40 MB/s y ambas memorias son capaces de sobrepasar esa velocidad sin problemas.

La gran diferencia que podría haber entre ambas es cuando pases información muy pesada, en la que la UFS 2.1 podrá enviar o recibir información más veloz, mientras más pesada sea mayor será la diferencia.

Entonces, ¿es un problema tener una memoria UFS 2.0 en vez de una UFS 2.1? No. Aquí el error de Samsung, al igual que Huawei, es mencionar a un inicio que sus equipos llegan con un tipo de memoria que no todos los teléfonos tienen y que se vieron obligadas a retirar por los reclamos de los usuarios.

Fuente: Phandroid

 

 

Hace algunas semanas les contamos que Samsung había anunciado sus nuevas tarjetas UFS, formato con el cual esperaban redefinir el almacenamiento portátil al ser estas mucho más veloces que las más rápidas de las micro SD de la actualidad. Lamentablemente, habría un pequeño problema para el desarrollo y expansión de este nuevo tipo de tarjetas. ¿A qué nos referimos? Pues a la retro compatibilidad.

 

UFS
Idéntica en forma, diferente en pines

 

Y es que, como pensamos en un primer momento, el conector de las nuevas UFS y el de las actuales micro SD es distinto, por lo que en teoría ni las UFS se podrían usar en ranuras micro SD ni las micro SD se podrían usar en ranuras UFS.

Digamos que nos equivocamos, al menos con la mitad de la historia. ¿A qué nos referimos exactamente? Pues a que si bien no podremos leer tarjetas UFS en las actuales ranuras micro SD, tal parece que sí que podríamos leer micro SD en las nuevas ranuras UFS.

La noticia obedece sin duda a la preocupación general sobre el tema de las compatibilidades. Ya que si bien no se puede hacer nada con las ranuras micro SD ya existentes, a partir de ahora se pueden fabricar ranuras híbridas que podrían leer indistintamente una tarjeta UFS o una tarjeta micro SD, lo cual acabaría en un principio con la problemática de gran parte de usuarios, quienes no sabían si seguir con las viejas micro SD o apostar por las UFS.

Ya veremos qué sucede en el 4to trimestre del año cuando por fin sean lanzados al mercado los primeros dispositivos con estas ranuras. Ojalá valga la pena la espera.

 

Fuente: elandroidelibre

 

 

Cuando empezaron a salir unidades de almacenamiento con cada vez más capacidad, más de la que cualquier usuario promedio podría necesitar, los fabricantes se dieron cuenta que era momento de dar el próximo paso y mejorar el siguiente atributo en importancia en una unidad, la velocidad.

Y así, tal como los SSD (Unidades de estado sólido) van reemplazando lentamente a los HDD (Discos duros), tal parece que la micro SD conocerá eventualmente su fin gracias a las nuevas UFS, tarjetas que si bien conservan la misma apariencia, serían hasta 5 veces más veloces que las mejores micro SD del momento.

 

Adiós a las micro SD
¿Adiós a las micro SD?

 

Estas nuevas tarjetas UFS (Universal Flash Storage) se comercializarán en tamaños de 32, 64, 128 y 256 GB y su velocidad alcanzaría los 530 Mbps en lectura y 170 Mbps. Como para que se den una idea, la SanDisk Extreme microSDXC UHS-I, micro SD más veloz de la actualidad, alcanza la velocidad de «tan solo» 100 Mbps de lectura y 90 Mbps de escritura.

Este nuevo formato UFS, que alacanzaría velocidades cercanas a las de un SSD de alta velocidad, está pensado principalmente para formatos de video de gran resolución (4K o superior), pero podría ser aprovechado por cualquier usuario que simplemente quiere inmediatez al momento de trasladar información. Total, si gastamos tanto en un smartphone que sea veloz como un rayo, mínimo ponerle una tarjeta de memoria que corresponda a la misma velocidad.

 

UFS
Idéntica en forma, diferente en pines

 

El problema con estas UFS es que, a pesar de su apariencia similar, no son compatibles con el estandar de las micro SD, trayendo un juego de pines completamente diferente que no permitirá que las usemos en dispositivos actuales.

Suponemos que la misma gente de Samsung empezará a usar este formato para algunos de sus dispositivos en un futuro cercano. ¿Galaxy Note 7 dicen? Ya veremos.

 

Fuente: Samsung

 

 

Samsung ha tenido un Mobile World Congress bastante positivo, su Galaxy S7 y S7 Edge está en bocado de todos y su última presentación es una de las cosas más interesantes en los últimos meses.

Los coreanos no solo son excelentes haciendo pantallas, ya sean para televisores o dispositivos móviles, también son muy buenos fabricando memorias y en esta ocasión su memoria flash de 256 GB es realmente increíble.

Este nuevo módulo de memoria flash está basado en el estándar UFS 2.0, contando con la velocidad más alta de transferencia del mercado y la de más alta capacidad disponible para un móvil o tablet de alta gama.

La velocidad de la nueva memoria flash de Samsung puede llegar hasta los 850 Mb/s, superando al estándar promedio de las memorias SSD usadas en portátiles y PC’s, la velocidad de escritura es de 260 MB/s, poco más del triple de una microSD de máximo rendimiento.

 

256GB-UFS_02_samsung

 

Apenas sea presentado el USB 3.0 esta memoria podrá transferir archivos de hasta 5 GB en apenas doce segundos, claro el otro dispositivo tendrá que tener una memoria igual de veloz.

¿Cuándo la veremos? Samsung ha confirmado que este año no será, pero al paso que van es posible que lo veamos en la segunda mitad del 2017.

 

Más información: Samsung